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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IMBG120R060M1HXTMA1 +BOM

MOSFET SIC DISCRETE

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IMBG120R060M1HXTMA1
Datenblatt:

IMBG120R060M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

CoolSiC™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1200 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMBG120R060M1HXTMA1

IMBG120R060M1HXTMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1200 V 36A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Benchmark gate threshold voltage,>
Robustness against parasitic turn-on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
Robust body diode for hard commutation
Package creepage and clearance distances, > 6.1 mm
Sense pin for optimized switching performance
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Cooling effort reduction
Reduction of system complexity and cost
SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Fast EV charging
Industrial motor drivesand controls
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	CoolSiC™
FET Type	N-Channel	Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	83mOhm @ 13A, 18V	Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 5.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 18 V	Vgs (Max)	+18V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1145 pF @ 800 V	FET Feature	Standard
Power Dissipation (Max)	181W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IMBG120
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

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