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IMZ120R030M1H +BOM

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

IMZ120R030M1H Allgemeine Beschreibung

The TO247-4 package design ensures easy integration and installation, while the optimized semiconductor process maximizes functionality and durability. Whether used in industrial, automotive, or renewable energy applications, the IMZ120R030M1H delivers unprecedented performance, making it a top choice for engineers and designers looking to push the boundaries of power electronics

IMZ120R030M1H

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 1200 V Drain Current-Max (ID) 56 A
Drain-source On Resistance-Max 0.056 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 13 pF JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T4 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 227 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 150 A Surface Mount NO
Terminal Finish TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON CARBIDE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

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