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Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 5.0 A
WDFN EPHersteller:
Herstellerteil #:
NSS20501UW3T2G
Datenblatt:
Transistor Type:
NPN
Current - Collector (Ic) (Max):
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
125mV @ 400mA, 4A
EDA/CAD Modelle:
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Say goodbye to expensive energy control solutions with the NSS20501UW3T2G Bipolar Transistor. This miniature surface mount device features ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability, making it perfect for low voltage, high speed switching applications. Whether you're working on telecommunications, industrial automation, or computer peripherals, this transistor is engineered to deliver affordable and efficient performance. With its compact size and powerful capabilities, it's the perfect choice for your next project
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | - |
Transistor Type | NPN | Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Power - Max | 875 mW | Frequency - Transition | 150MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | NSS20501 |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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