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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NSVF3007SG3T1G +BOM

RF Transistor for Low Noise Amplifier

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVF3007SG3T1G
Datenblatt:

NSVF3007SG3T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419AQ
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL

NSVF3007SG3T1G Allgemeine Beschreibung

With AEC-Q101 qualification and PPAP capability, this RF transistor is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. This means that it has undergone extensive testing and validation to ensure it meets the highest standards for performance and reliability in automotive settings. Customers can trust in the quality and durability of the NSVF3007SG3T1G for their automotive projects

Hauptmerkmale

Low-noise use : NF = 1.2 dB (typ) [f = 1 GHz]
High cut-off frequency : fT = 8 GHz (typ) [VCE = 5 V]
High gain : |S21e|² = 12 dB (typ) [f = 1 GHz]
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
MCPH3 package is pin-compatible with SC-70FL
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Low current operating

Anwendung

Low Noise Amplifier
RF Amplifier

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	419AQ
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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