Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NSVF4009SG4T1G +BOM

RF Transistor for Low Noise Amplifier

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVF4009SG4T1G
Datenblatt:

NSVF4009SG4T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419AR
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVF4009SG4T1G

NSVF4009SG4T1G Allgemeine Beschreibung

The NSVF4009SG4T1G's design and construction make it an excellent choice for use in applications where low noise amplification is crucial. Its superior heat radiation characteristics ensure that it can perform reliably and consistently even in high temperature environments. This makes it a versatile and dependable option for a wide range of uses

Hauptmerkmale

Low-noise use : NF = 1.1 dB (typ) [f = 2 GHz]
High cut-off frequency : fT = 25 GHz (typ) [VCE = 3 V]
High gain : |S21e|² = 17 dB (typ) [f = 2 GHz]
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Low operating voltage
MCPH4 package is pin-compatible with SC-82FL

Anwendung

Low Noise Amplifier

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419AR
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	RF Bipolar Transistors	Technology	Si
Qualification	AEC-Q101	Product Type	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000233 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..