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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NSVJ3910SB3T1G +BOM

High performance JFET with -25V voltage and 20-40mA current capabilities

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVJ3910SB3T1G
Datenblatt:

NSVJ3910SB3T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

318BA
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G Allgemeine Beschreibung

This JFET transistor meets the AEC-Q101 automotive qualification standard, guaranteeing its performance and reliability in harsh automotive environments. With an MSL rating of MSL 1 - Unlimited and no SVHC content, this transistor is compliant with the latest environmental and safety regulations

Hauptmerkmale

SMT package ensures compact design
Reliable performance for radar and comms apps
Efficient power amplification for 2-6 GHz range
High gain and low distortion for clear signals
Omnidirectional radiation for effective beamforming
Rugged design for harsh environmental conditions

Anwendung

Data transmission solutions
Radio frequency technology
Efficient signal processing

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	318BA
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Id - Continuous Drain Current	50 mA	Pd - Power Dissipation	400 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Qualification	AEC-Q101	Height	0.9 mm
Length	2.9 mm	Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Type	JFET
Width	1.6 mm

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