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Siehe Technische Spezifikationen

NSVF6003SB6T1G +BOM

RF Transistor, NPN Single, 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVF6003SB6T1G
Datenblatt:

NSVF6003SB6T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

318BD
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Transistor Type:

Bipolar
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G Allgemeine Beschreibung

Boasting impressive features and capabilities, the NSVF6003SB6T1G RF transistor is an ideal choice for low noise amplifier applications. Its CPH package design allows it to effectively dissipate heat, making it suitable for use in high temperature environments. The AEC-Q101 qualification and PPAP capability of this transistor make it a reliable option for automotive applications, ensuring that it meets the rigorous standards for performance and durability. With its exceptional performance and robust design, the NSVF6003SB6T1G is a top contender in the realm of RF transistors

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
High Current (IC = 150 mA)
Ultra miniature and thin 6 pin package
Large Collector Dissipation (800 mW)
High Gain (fT = 7 GHz typ)

Anwendung

Low Noise Amplifier

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	318BD
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	7 GHz	DC Collector/Base Gain hfe Min	100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	12 V	Emitter- Base Voltage VEBO	2 V
Continuous Collector Current	150 mA	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Single
Mounting Style	SMD/SMT	Qualification	AEC-Q101
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	800 mW
Product Type	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.000529 oz

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