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NSS30100LT1G +BOM

Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A

NSS30100LT1G Allgemeine Beschreibung

The NSS30100LT1G is a cutting-edge product designed for optimal energy control in low voltage, high-speed switching applications. With its ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability, this miniature surface mount device offers unparalleled efficiency at an affordable price point. Ideal for use in a variety of settings where efficient energy management is crucial, this transistor is a game-changer in the world of electronics

Hauptmerkmale

  • Low Power Consumption, High Speed
  • Rapid Switching Time, Low VCEsat
  • High Gain Bandwidth, Small Package Size

Anwendung

  • Regulating voltage levels
  • Charging batteries efficiently

Spezifikationen

Source Content uid NSS30100LT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 4 Weeks Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-Emitter Voltage-Max 30 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 40 JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.71 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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