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Siehe Technische Spezifikationen

UMC4N-TP +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Hersteller:

Micro Commercial Co
Herstellerteil #:

UMC4N-TP
Datenblatt:

UMC4N-TP Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Resistor - Base (R1):

47kOhms, 10kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMC4N-TP

UMC4N-TP Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	47kOhms, 10kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Frequency - Transition	250MHz
Power - Max	150mW	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMC4

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