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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R031CFD7 +BOM

IPW60R031CFD7 TO-247-3 MOSFETs

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPW60R031CFD7
Datenblatt:

IPW60R031CFD7 Datenblatt (PDF)
Series:

CoolMOS™ CFD7
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R031CFD7

IPW60R031CFD7 Allgemeine Beschreibung

This advanced transistor boasts a maximum drain-source voltage of 40V and a gate-source voltage of ±20V, giving it versatility in different operating conditions. Moreover, its wide junction temperature range of -55°C to 175°C means it can withstand harsh environmental conditions without compromising performance. Whether used in synchronous rectification, motor control, or power management, the IPW60R031CFD7 delivers reliable and efficient operation

Spezifikationen

Series	CoolMOS™ CFD7	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	63A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 32.6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.63mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	141 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5623 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	278W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R031

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