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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R075CP +BOM

TO-247 packaged N-channel MOSFET with a voltage capacity of 600V and a current capacity of 39A

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW60R075CP
Datenblatt:

IPW60R075CP Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

130.0 A
VGS(th) Max:

3.5 V
VGS(th) Min:

2.5 V
RthJC Max:

0.4 K/W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R075CP

IPW60R075CP Allgemeine Beschreibung

The IPW60R075CP power MOSFET transistor is tailored for high-speed switching applications, especially in industrial and automotive power systems. With a robust 600V drain-to-source voltage and a continuous 60A drain current, it is capable of meeting the power requirements of a wide range of applications. Its low on-resistance of 0.075 ohms is instrumental in minimizing power losses and maximizing efficiency, while its fast switching speed and low gate charge enable precise control in high-frequency operations. Leveraging advanced silicon technology, this transistor offers high reliability and consistent performance across various operating conditions. Additionally, its TO-247 package ensures superior thermal conductivity and heat dissipation, supporting continuous high-power operation without compromising on performance

Hauptmerkmale

Advanced power management technology
Limited inrush current requirement
Robust against overvoltage and undervoltage
Suitable for motor drive and power supply applications

Anwendung

DC power options
Heating made easy
Auto electricals

Spezifikationen

IDpuls max	130.0 A	VGS(th) max	3.5 V
VGS(th) min	2.5 V	RthJC max	0.4 K/W
Ptot max	313.0 W	RthJA max	62.0 K/W
Operating Temperature min	-55.0 °C	VDS max	600.0 V
Polarity	N	ID max	39.0 A
RDS (on) max	75.0 mΩ	Mounting	THT

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