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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R080P7XKSA1 +BOM

3-pin (3+tab) high power MOSFET with 600V rating

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPW60R080P7XKSA1
Datenblatt:

IPW60R080P7XKSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

CoolMOS™ P7
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R080P7XKSA1

IPW60R080P7XKSA1 Allgemeine Beschreibung

The IPW60R080P7XKSA1 power MOSFET by Infineon Technologies is a cutting-edge solution for high-efficiency power management in a variety of applications. With a VDS rating of 800V, this MOSFET is well-suited for tasks that demand high voltage switching capabilities and reliable isolation. Its low RDS(on) of 0.08 Ohms enables reduced power losses and enhanced efficiency in power conversion setups

Spezifikationen

Series	CoolMOS™ P7	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 590µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2180 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	129W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R080

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