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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R120P7 +BOM

N-Channel MOSFET Transistor IPW60R120P7

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPW60R120P7
Datenblatt:

IPW60R120P7 Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

78.0 A
Mounting:

THT
Ptot Max:

95.0 W
Polarity:

N
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R120P7

IPW60R120P7 Allgemeine Beschreibung

When it comes to power management, the 600V CoolMOS™ P7 stands out for its superior efficiency and innovative design. With its 7th generation platform, this superjunction MOSFET raises the bar for performance in a wide range of applications. From consumer electronics to industrial equipment, the CoolMOS™ P7 delivers outstanding results, thanks to its low gate charge and high efficiency

Spezifikationen

IDpuls max	78.0 A	Mounting	THT
Ptot max	95.0 W	Polarity	N
RthJA max	62.0 K/W	RthJC max	1.31 K/W
VDS max	600.0 V	ID max	29.0 A
RDS (on) max	120.0 mΩ	Special Features	price/performance
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	3.0 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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