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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R165CP +BOM

MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPW60R165CP
Datenblatt:

IPW60R165CP Datenblatt (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R165CP

IPW60R165CP Allgemeine Beschreibung

The IPW60R165CP is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed to deliver exceptional power conversion in a variety of electrical applications. With a maximum current rating of 21A and a voltage rating of 600V, this transistor is capable of handling high power loads with ease. The low on-state resistance of 0.165ohm ensures efficient power conversion with minimal energy loss, making it an ideal choice for energy-conscious designs

Hauptmerkmale

Lowest figure-of-merit RONxQg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant

Spezifikationen

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 12A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	192W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R165

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