Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTB20N120IHTG +BOM

IGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTB20N120IHTG
Datenblatt:

NGTB20N120IHTG Datenblatt (PDF)
Base Product Number:

NGTB20
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTB20N120IHTG

NGTB20N120IHTG Allgemeine Beschreibung

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Hauptmerkmale

Low Saturation Voltage using Trench with Fieldstop Technology
Low Switching Loss

Anwendung

Induction Heating
Consumer Appliances
Soft Switching

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
Base Product Number	NGTB20

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..