Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTD13T65F2WP +BOM

IGBT, 650V 30A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD13T65F2WP
Datenblatt:

NGTD13T65F2WP Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP Allgemeine Beschreibung

The NGTD13T65F2WP is a top-notch Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed with a robust and cost-effective Field Stop II Trench construction. It is tailored to deliver superior performance in demanding switching applications, boasting both low on-state voltage and minimal switching loss. This makes it the ideal choice for applications that require high efficiency and reliability

Hauptmerkmale

Fast Response Time
Low Loss Operation
Suitable for Power Management

Anwendung

Emergency Preparedness
Smart Grid Technology
Portable Power

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..