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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTD13T65F2SWK +BOM

IGBT, 650V 30A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD13T65F2SWK
Datenblatt:

NGTD13T65F2SWK Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK Allgemeine Beschreibung

With its advanced Field Stop II Trench construction, the NGTD13T65F2SWK Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers exceptional performance in demanding switching applications. Its design allows for low on-state voltage and minimal switching loss, making it a cost-effective and reliable option for a wide range of power switching needs

Hauptmerkmale

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
TJmax = 175°C
Optimized for High Speed Switching
10 µs Short Circuit Capability
These are Pb−Free Devices

Anwendung

Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
Welding

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

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