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Siehe Technische Spezifikationen

NGTD21T65F2WP +BOM

IGBT 650V 45A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD21T65F2WP
Datenblatt:

NGTD21T65F2WP Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP Allgemeine Beschreibung

The NGTD21T65F2WP Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a top-of-the-line component designed for high-performance switching applications. With its Field Stop II Trench construction, this IGBT offers unparalleled durability and efficiency. Its low on-state voltage and minimal switching loss make it the perfect choice for demanding applications where precision and reliability are essential

Hauptmerkmale

High Speed Switching Capability
Operational Temperature up to 175°C
Suitable for High Frequency Applications
No Lead Containing Materials Used

Anwendung

Solar Energy Converter
Backup Power Solutions
Robotic Welding Equipment

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

Servicerichtlinien und andere

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