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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTD30T120F2WP +BOM

IGBT 1200V 40A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD30T120F2WP
Datenblatt:

NGTD30T120F2WP Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

WJAR
Technology:

Si
Factory Pack Quantity:

1
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP Allgemeine Beschreibung

Designed to meet the requirements of modern applications, this IGBT delivers superior performance that will enhance the overall efficiency of your system

Hauptmerkmale

Fast Recovery Time Performance
Robust ESD Protection Mechanism
High Junction Temperature Rating
Laser-Truncated Bevel Technology
Ruggedness and High Durability
Sophisticated Thermal Management System

Anwendung

Portable Power Station
Emergency Backup Solution
Industrial Grade Equipment

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	WJAR
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	IGBTs

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