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IGBT 1200V 25A FS2 bare die
BGAHersteller:
Herstellerteil #:
NGTD23T120F2WP
Datenblatt:
MSL Temp (°C):
0
Container Type:
WJAR
Technology:
Si
Factory Pack Quantity:
1
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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This cutting-edge NGTD23T120F2WP product boasts an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) design renowned for its robustness and cost-effectiveness. Engineered with a sophisticated Field Stop II Trench construction, it stands out for its superior performance, especially in high-demand switching applications. With a focus on delivering exceptional results, this IGBT offers a combination of low on-state voltage and minimal switching loss, setting a new standard in efficiency and reliability
Status | Lifetime | Case Outline | - |
MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | WJAR |
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | IGBTs |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $5,421 | $5,42 |
200+ | $2,099 | $419,80 |
500+ | $2,024 | $1.012,00 |
1000+ | $1,989 | $1.989,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.