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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUT11A +BOM

TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BUT11A
Datenblatt:

BUT11A Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BUT11A

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	REACH	Details
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	450 V
Collector- Base Voltage VCBO	1 kV	Emitter- Base Voltage VEBO	9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V	Maximum DC Collector Current	5 A
Pd - Power Dissipation	100 W	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	BUT11A	Continuous Collector Current	5 A
Height	9.4 mm	Length	10.1 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1200
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.7 mm	Part # Aliases	BUT11A_NL
Unit Weight	0.063493 oz

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