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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUZ72A +BOM

High-power Si MOSFET for demanding application

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BUZ72A
Datenblatt:

BUZ72A Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BUZ72A

Hauptmerkmale

9A, 100V
rDS(ON) = 0.250Ω
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
Linear Transfer Characteristics
High Input Impedance
Majority Carrier Device
Related Literature
-TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	250 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	40 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	55 ns	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	45 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	70 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Width	4.7 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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