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Power MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ohm Single N-Channel DPAK
DPAK-3Hersteller:
Herstellerteil #:
NDD03N80ZT4G
Datenblatt:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Obsolete
Pin Count:
4
Reach Compliance Code:
not_compliant
EDA/CAD Modelle:
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With its 800V drain-source voltage and 2.9A continuous drain current, the NDD03N80ZT4G MOSFET is a robust and reliable choice for high-power applications. The low on-resistance of 3.7ohm and threshold voltage of 4.1V ensure efficient switching performance, while the TO-252 package and 3 pins offer easy installation and connectivity. Operating at a maximum temperature of 150°C, this transistor is suitable for demanding environments and long-term use. Its MSL 3 qualification and absence of SVHC make it a safe and dependable choice for a wide range of projects
Source Content uid | NDD03N80ZT4G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Pin Count | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 800 V | Drain Current-Max (ID) | 1.9 A |
Drain-source On Resistance-Max | 4.5 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 96 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 12 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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