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Siehe Technische Spezifikationen

NDS8410A +BOM

N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NDS8410A
Datenblatt:

NDS8410A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

4 Weeks
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NDS8410A

NDS8410A Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

10.8 A, 30 V
RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 17 mW @ VGS = 4.5 V
Ultra-low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability

Spezifikationen

Source Content uid	NDS8410A	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	4 Weeks	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	10.8 A
Drain-source On Resistance-Max	0.012 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	160 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2.5 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	50 A
Surface Mount	YES	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	72 ns
Turn-on Time-Max (ton)	41 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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