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Siehe Technische Spezifikationen

GT10G131(TE12L,Q) +BOM

IGBT Transistors X35 Pb-F IGBT TRANSISTOR ; SOP-8; MOQ=3000; PC=1.9W; F=1MHZ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT10G131(TE12L,Q)
Datenblatt:

GT10G131(TE12L,Q) Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Current - Collector Pulsed (Icm):

200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.3V @ 4V, 200A
Power - Max:

1 W
EDA/CAD Modelle:

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GT10G131(TE12L,Q) Allgemeine Beschreibung

IGBT 400 V 1 W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V
Current - Collector Pulsed (Icm)	200 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 4V, 200A
Power - Max	1 W	Switching Energy	-
Input Type	Standard	Td (on/off) @ 25°C	3.1µs/2µs
Test Condition	-	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	GT10G131
Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V	Series:	GT10G131
Product Type:	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	IGBTs

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