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Siehe Technische Spezifikationen

GT30J341 +BOM

Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT30J341
Datenblatt:

GT30J341 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT30J341

GT30J341 Allgemeine Beschreibung

Feature:Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:China / Japan

Hauptmerkmale

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 25 V, 25 V	Continuous Collector Current at 25 C:	59 A
Pd - Power Dissipation:	230 W	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Series:	GT30J341
Continuous Collector Current Ic Max:	120 A	Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Product Type:	IGBT Transistors	Subcategory:	IGBTs

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