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GTVA262701FA-V2-R0 +BOM

RF Mosfet 48 V 320 mA 2.62GHz ~ 2.69GHz 17dB 270W H-87265J-2

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

GTVA262701FA-V2-R0
Datenblatt:

GTVA262701FA-V2-R0 Datenblatt (PDF)
Series:

GaN
Technology:

HEMT
Frequency:

2.62GHz ~ 2.69GHz
Gain:

17dB

GTVA262701FA-V2-R0 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 48 V 320 mA 2.62GHz ~ 2.69GHz 17dB 270W H-87265J-2

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	GaN
Technology	HEMT	Frequency	2.62GHz ~ 2.69GHz
Gain	17dB	Voltage - Test	48 V
Current Rating (Amps)	-	Noise Figure	-
Current - Test	320 mA	Power - Output	270W
Voltage - Rated	125 V	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	GTVA262701	Product Category:	RF JFET Transistors
Transistor Type:	HEMT	Technology:	GaN-on-SiC
Operating Frequency:	2496 MHz to 2690 MHz	Gain:	17 dB
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	125 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V	Id - Continuous Drain Current:	12 A
Output Power:	270 W	Maximum Drain Gate Voltage:	-
Minimum Operating Temperature:	-	Maximum Operating Temperature:	+ 225 C
Pd - Power Dissipation:	-	Mounting Style:	Flange Mount
Packaging:	MouseReel	Application:	Cellular Power Amplifier
Forward Transconductance - Min:	-	Product Type:	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity:	50	Subcategory:	Transistors

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