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Siehe Technische Spezifikationen

GT40WR21,Q +BOM

IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT40WR21,Q
Datenblatt:

GT40WR21,Q Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1350 V
Current - Collector (Ic) (Max):

40 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

5.9V @ 15V, 40A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT40WR21,Q

GT40WR21,Q Allgemeine Beschreibung

IGBT 1350 V 40 A 375 W Through Hole TO-3P(N)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	5.9V @ 15V, 40A	Power - Max	375 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Td (on/off) @ 25°C	-	Test Condition	-
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
place	Japan	launch_date
last_inspection_date	18 APR 2023	supplier_cage_code	J2925
htsusa		schedule_b	8541290080
ppap	False	aec

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