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Siehe Technische Spezifikationen

GT20J301 +BOM

Reliable and High-Performance IGBT Modules for Industrial Automation, Electric Vehicle Charging, and Alternative Energy Solution

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT20J301
Datenblatt:

GT20J301 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT20J301

GT20J301 Allgemeine Beschreibung

The GT20J301 is a high-performance IGBT module that has been rigorously tested for reliability and consistency. With its low on-state voltage, high input impedance, and fast switching speed, this module is a great option for applications that require efficient power conversion. Its compact package and easy installation make it a versatile choice for a wide range of industries

Hauptmerkmale

Rapid recovery time
Low capacitance, high frequency performance
High reliability, low failure rate

Anwendung

Revolutionizing electric vehicles
Efficient motor control solutions
Advanced solar power inverters

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT20J301	Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Height	19 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	4.8 mm

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