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Siehe Technische Spezifikationen

GT50N322A +BOM

High-performance power component for high-voltage applications

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT50N322A
Datenblatt:

GT50N322A Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1000 V
Current - Collector (Ic) (Max):

50 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.8V @ 15V, 60A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT50N322A

GT50N322A Allgemeine Beschreibung

Built with rugged construction, the GT50N322A is capable of withstanding high levels of electrical stress, making it a dependable choice for industrial use. Its fully isolated design and specific current and voltage ratings make it versatile for a range of applications, while its overvoltage and overcurrent protection features add an extra layer of safety

Hauptmerkmale

Applications and : Plasma display panels

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1000 V
Current - Collector (Ic) (Max)	50 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 60A	Power - Max	156 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Td (on/off) @ 25°C	-	Test Condition	-
Reverse Recovery Time (trr)	800 ns	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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Bewertungen und Rezensionen

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D**a 06.25.2024

Good product. Fast shipping.

J**h 05.15.2024

The goods came quickly. Corresponds to the characteristics. Thank you seller!

H**t 10.06.2022

I had an outstanding experience with Avaq's customer service. They were attentive, responsive, and resolved my query regarding the LAN91C111-NE electronic components promptly. Kudos to their exemplary support!

J**i 03.21.2020

The TC58NVG2S0HBAI4 components I purchased from Avaq were of exceptional quality. It's evident that they take pride in delivering only the best to their customers. Kudos!