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Siehe Technische Spezifikationen

GTVA262711FA-V2-R0 +BOM

RF Mosfet 48 V 320 mA 2.62GHz ~ 2.69GHz 18dB 70W H-87265J-2

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

GTVA262711FA-V2-R0
Datenblatt:

GTVA262711FA-V2-R0 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN-on-SiC
Operating Frequency:

2620 MHz to 2690 MHz
Gain:

18 dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GTVA262711FA-V2-R0

GTVA262711FA-V2-R0 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 48 V 320 mA 2.62GHz ~ 2.69GHz 18dB 70W H-87265J-2

Spezifikationen

Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN-on-SiC	Operating Frequency:	2620 MHz to 2690 MHz
Gain:	18 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	125 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V
Id - Continuous Drain Current:	12 A	Output Power:	300 W
Maximum Drain Gate Voltage:	-	Minimum Operating Temperature:	-
Maximum Operating Temperature:	+ 225 C	Pd - Power Dissipation:	-
Mounting Style:	Flange Mount	Packaging:	MouseReel
Application:	Cellular Power Amplifier	Forward Transconductance - Min:	-
Product Type:	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	Transistors

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