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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

GT40RR21 +BOM

Compact and reliable power transistor for industrial controls

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT40RR21
Datenblatt:

GT40RR21 Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

40 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.8V @ 15V, 40A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT40RR21

GT40RR21 Allgemeine Beschreibung

Feature:Fast switching / Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:China

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 40A	Power - Max	230 W
Switching Energy	-, 540µJ (off)	Input Type	Standard
Td (on/off) @ 25°C	-	Test Condition	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Reverse Recovery Time (trr)	600 ns	Operating Temperature	175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	GT40RR21
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.35 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 25 V, 25 V	Continuous Collector Current at 25 C	40 A
Pd - Power Dissipation	230 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	200 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Subcategory	IGBTs

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