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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

GT40QR21 +BOM

High-power 230W N-channel IGBT chip for industrial applications

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT40QR21
Datenblatt:

GT40QR21 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT40QR21

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen GT40QR21-Treiber von Toshiba Semiconductor an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung GT40QR21.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 25 V, 25 V	Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Pd - Power Dissipation:	230 W	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Series:	GT40QR21
Continuous Collector Current Ic Max:	80 A	Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Product Type:	IGBT Transistors	Subcategory:	IGBTs

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