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Siehe Technische Spezifikationen

GT20J341 +BOM

GT20J341: State-of-the-art IGBT Transistors

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT20J341
Datenblatt:

GT20J341 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT20J341

GT20J341 Allgemeine Beschreibung

Housed in a TO-3P package, the GT20J341 offers reliable heat dissipation for high-power applications, critical for maintaining component longevity and performance. With a junction-to-case thermal resistance of 1.5°C/W, this MOSFET enables effective thermal management, reducing the risk of overheating and ensuring stable operation even under challenging conditions. Moreover, the gate charge of 50nC facilitates easy integration into drive circuits, simplifying the overall design process and enhancing user convenience

Hauptmerkmale

Fast switching speed with low noise
High input impedance maintained
Rapid recovery time assured
Precise turn-off characteristics guaranteed

Anwendung

Home automation
Climate control systems
Access control devices
Remote monitoring solutions

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 25 V, + 25 V	Continuous Collector Current at 25 C	20 A
Pd - Power Dissipation	45 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	GT20J341
Continuous Collector Current Ic Max	80 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs

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