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Siehe Technische Spezifikationen

GT40WR21 +BOM

IGBT Transistors

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

GT40WR21
Datenblatt:

GT40WR21 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.8 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT40WR21

GT40WR21 Allgemeine Beschreibung

Feature:Fast switching / Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:Japan

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.8 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 25 V, 25 V	Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Pd - Power Dissipation:	375 W	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C	Series:	GT40WR21
Continuous Collector Current Ic Max:	80 A	Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Product Type:	IGBT Transistors	Subcategory:	IGBTs

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