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Siehe Technische Spezifikationen

GT30J121 +BOM

Featuring a TO3PN package, GT30J121 is an N-channel IGBT capable of enhancing performance at voltages up to 600V and currents up to 30A

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT30J121
Datenblatt:

GT30J121 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT30J121

GT30J121 Allgemeine Beschreibung

One of the standout features of the GT30J121 is its low on-resistance of 0.12 ohms, which ensures that power is handled efficiently and with minimal loss during switching operations. Its fast switching speed is perfect for high-frequency applications where quick transitions are crucial

Hauptmerkmale

Safe and Reliable Design
Low Power Consumption
Fault-Tolerant Operation
High-Speed Communication

Anwendung

Power systems
Industrial use
Motor control

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT30J121	Continuous Collector Current Ic Max	30 A
Height	19 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	4.8 mm

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