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GT8G133(TE12L,Q) +BOM

IGBT Transistors IGBT, 400V, 150A

GT8G133(TE12L,Q) Allgemeine Beschreibung

IGBT 400 V 600 mW Surface Mount 8-TSSOP

Toshiba Semiconductor Inventar
Toshiba Semiconductor Originalbestand

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Series -
IGBT Type - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
Power - Max 600 mW Switching Energy -
Input Type Standard Td (on/off) @ 25°C 1.7µs/2µs
Test Condition - Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number GT8G133
place Japan launch_date Nov 15, 2004
last_inspection_date +90 supplier_cage_code J2925
htsusa schedule_b 8541290080
ppap False aec
Taxonomy PathSemiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip Start parameter search

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