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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

GT50J102 +BOM

Redefines power conversion standard

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT50J102
Datenblatt:

GT50J102 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT50J102

GT50J102 Allgemeine Beschreibung

The GT50J102 IGBT is a high-performance semiconductor device that combines the benefits of a bipolar transistor and a MOSFET. Its 600V Collector Emitter Voltage and 50A DC Collector Current make it suitable for a variety of power switching applications. The transistor exhibits a low Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) of 2.7V, minimizing power losses during operation. With a Power Dissipation rating of 200W, the device can handle high power levels without overheating. The TO-3P package ensures easy mounting and thermal management, while the N Channel Transistor Polarity simplifies circuit design and control

Hauptmerkmale

Suitable for high-power applications
Robust thermal shock performance
Voltage regulator and switchable power supply designs
Magnetic amplifier and motor control circuits

Anwendung

Great for power supplies
Perfect for motor control
Essential for industrial equipment

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT50J102	Continuous Collector Current Ic Max	50 A
Height	26 mm	Length	20.5 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	5.2 mm

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