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Siehe Technische Spezifikationen

GT10J301 +BOM

GT10J301 IGBT Transistors - Three-Phase IGBT PP2

Hersteller:

TOSHIBA
Herstellerteil #:

GT10J301
Datenblatt:

GT10J301 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT10J301

Hauptmerkmale

Spezifikationen

Source Content uid	GT10J301	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Additional Feature	HIGH SPEED
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	10 A
Collector-Emitter Voltage-Max	600 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf)	300 ns	Gate-Emitter Thr Voltage-Max	8 V
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	240
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	90 W
Power Dissipation-Max (Abs)	90 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	700 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	400 ns
VCEsat-Max	2.7 V

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