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Siehe Technische Spezifikationen

GT20J321 +BOM

IGBT Transistors - Product GT20J321

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT20J321
Datenblatt:

GT20J321 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT20J321

GT20J321 Allgemeine Beschreibung

The GT20J321 is a top-of-the-line N-channel IGBT that stands out in the realm of high-speed switching components. Engineer for optimal performance in general-purpose inverter and motor control systems, this device boasts a robust collector-emitter voltage of 600V and a generous collector current of 20A. These specifications make it a versatile solution for a myriad of high-power applications that demand reliability and efficiency

Hauptmerkmale

Fast switching speed
Limited current surge
High reliability ensured
Low thermal noise

Anwendung

Modern consumer electronics
Robust industrial equipment
High-performance PC power

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT20J321	Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Height	8.1 mm	Length	10 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	4.5 mm

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