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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

GT50J325 +BOM

Reliable N-Channel IGBT for demanding industrial application

Hersteller:

TOSHIBA
Herstellerteil #:

GT50J325
Datenblatt:

GT50J325 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT50J325

GT50J325 Allgemeine Beschreibung

IGBT, 600V, TO-3P(LH)

Hauptmerkmale

Fourth generation IGBT
Enhancement mode type
Fast switching
Operating frequency up to 50KHz
Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V
FRD included between emitter and collector
Collector emitter voltage VCES of 600V
DC collector current of 50A
Junction temperature of 150°C
Collector power dissipation of 240W

Anwendung

Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial

Spezifikationen

Source Content uid	GT50J325	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	End Of Life	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH SPEED	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	50 A	Collector-Emitter Voltage-Max	600 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	240 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	430 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	240 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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